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半導(dǎo)體管特性圖示儀 型號(hào)： QT-2A
QT-2A半導(dǎo)體管特性圖示儀可根據(jù)需要測(cè)量半導(dǎo)體二管、三管的低頻直流參數(shù)，大集電電流可達(dá)50A，
基本滿足功率500W以下的半導(dǎo)體管的測(cè)試。
* 本儀器還附有的測(cè)試裝置，可對(duì)5000V以下的半導(dǎo)體管進(jìn)行擊穿電壓及反向漏電流測(cè)試，
其測(cè)試電流高靈敏度達(dá)到0.5uA/度。
* 本儀器所提供的基階梯信號(hào)還具有脈沖階梯輸出，因此可擴(kuò)大測(cè)量范圍及對(duì)二次擊穿特性的測(cè)量。
* 本儀器帶階梯偏置電壓(△VB)， -6V～+6V連續(xù)可調(diào)。特別適宜大功率VMOS管測(cè)試。
1. 集電電流偏轉(zhuǎn)系數(shù)
a) 集電電流范圍(Ic)： 1μA/度～/度。按1、2、5進(jìn)制分21檔級(jí)，各檔誤差不大于3％。
b) 二管電流范圍(ID) ：1μA/度～500μA/度。1、2、5進(jìn)制分9檔，各檔誤差不大于3％。
c) 集電電流及二管電流倍率×0.5，誤差不大于10％。
d) 基電流或基源電壓0.1V/度，誤差不大于3％。
2. 集電電壓偏轉(zhuǎn)系數(shù)
a) 集電電壓范圍(Uc)： 10mV/度～50V/度。按1、2、5進(jìn)制分21檔級(jí)，各檔誤差不大于3％。
b) 二管電壓范圍(UD)： 100V/度～500V/度。按1、2、5進(jìn)制分3檔級(jí)，各檔誤差不大于10％。
c) 基電壓范圍(UBE)：10mV/度～1V/度按1、2、5進(jìn)制分7檔級(jí)，各檔誤差不大于3％。
d) 基電流或基源電壓:：0.05V/度，誤差不大于3％。
3. 基階梯信號(hào)
a) 階梯電流范圍(IB)： 10uA/度～200mA/度。按1、2、5進(jìn)制分17檔級(jí)，各檔誤差不大于5％。
b) 階梯電壓范圍(UB)： 50mV/度～1V/度。按1、2、5進(jìn)制分5檔級(jí)，各檔誤差不大于5％。
c) 串聯(lián)電阻：0Ω、10KΩ、100KΩ，各檔誤差不大于10％。
d) 階梯波形：分正常（100%）及脈沖二檔。脈沖階梯占空比調(diào)節(jié)范圍為10～40%。
e) 每簇級(jí)數(shù)：0～10級(jí)，連續(xù)可調(diào)。
f) 階梯偏置電壓(△VB)：-6V～+6V，連續(xù)可調(diào)。
g) 階梯作用：分重復(fù)、關(guān)、單次三檔級(jí)。
h) 階梯輸入：分正常、零電流、零電壓三檔級(jí)。
i) 階梯性：分正、負(fù)二檔。
4. 集電掃描電壓
a) 輸出電壓與檔級(jí)： 0～10V 正或負(fù)連續(xù)可調(diào)
0～50V 正或負(fù)連續(xù)可調(diào)
0～50V 正或負(fù)連續(xù)可調(diào)
0～100V 正或負(fù)連續(xù)可調(diào)
0～500V 正或負(fù)連續(xù)可調(diào)
b) 輸出電流容量： 0～10V 50A（脈沖階梯工作狀態(tài)時(shí)）
0～10V 20A（平均值）
0～50V 10A（平均值）
0～100V （平均值）
0～500V 0.（平均值）
c) 功耗限制電阻： 0～500KΩ 按1、2、5進(jìn)制分20檔級(jí)，各檔誤差不大于10％。
d) 整流方式： 全波
e) 輸出性： ＋，－
f) 集電容性電流； 平衡后不過(guò)2uA（10V檔）
g) 集電漏電流； 平衡后不過(guò)2uA（10V檔）
5. 二管測(cè)試裝置
a) 輸出電壓： 0～5000V 正向連續(xù)可調(diào)
b) 輸出電流容量： 大為5mA
c) 整流方式： 半波
6. 其他
a) 適配器
測(cè)試座、三管測(cè)試座、 功率三管測(cè)試座
b) 重量 約30kg。
c) 外形尺寸
300mm×408mm×520mm（W×H×D）。
d) 功耗： 非測(cè)試狀態(tài)時(shí)： 約80VA；
大功率時(shí)： 約300VA。
e) 輸入電壓： 220V±10％；
f) 頻率： 50HZ±5％。
g) 示波管： 15SJ118-DC 有效工作面8×10cm。
h) 電磁兼容性
傳導(dǎo)干擾應(yīng)符合GB/T 6833.9中第1章的要求。
輻射干擾應(yīng)符合GB/T 6833.10中第1章的要求。
環(huán)境應(yīng)符合GB/T 6587.1中Ⅱ級(jí)儀器的規(guī)定，運(yùn)輸試驗(yàn)按2級(jí)。
